| | | Forschung Molekularstrahlepitaxie von Gruppe III Nitriden: - optoelektronische Anwendung
- elektronische Anwendung
Strukturierung: - Metallaufdampfanlage (Kontakte)
- Spiegelherstellung
- Photolithographie
- e-beam Lithographie
Charakterisierungsmethoden: - Röntgendiffraktometrie (HRXRD)
- Elektronenbeugung (in-situ RHEED)
- AFM und STM
- PL und CL
- Hall-Effekt
- IV und CV
Forschungsprojekte: abgeschlossene Projekte: -
Ultrafast acoustics modulation of light emission (SFB/TRR 142, Projekt A06) -
Nonlinear optics and coherent intersubband physics of cubic GaN/Al(Ga)N heterostructures (SFB/TRR 142, Projekt B02) -
Selektives Wachstum von kubischen Gruppe III-Nitriden auf nanostrukturierten 3C-SiC (001) Substraten (DFG Einzelprojekt, As 107/7-1) -
FETs aus nichtpolaren kubischen III-Nitrid Nanostrukturen (DFG) -
Defect complexes in GaN - Prepartion, characterisation and ab initio modelling (DFG) -
Single photon sources with group III - nitrides (DFG-GK, Project B1) -
Einzel-Photonen Quellen – Integration kubischer GaN Quantenpunkten in verschiedene Mikroresonatoren (DFG-GK 1464, 2. Förderperiode, Projekt B1) -
Experimentelle und numerisch berechnete Leitungs- und Valenzbandoffsets in kubischen Gruppe III-Nitriden und Intersubbandbauelementen (DFG-GK 1464, 2. Förderperiode, Projekt B2) |
