Achtung:

Sie haben Javascript deaktiviert!
Sie haben versucht eine Funktion zu nutzen, die nur mit Javascript möglich ist. Um sämtliche Funktionalitäten unserer Internetseite zu nutzen, aktivieren Sie bitte Javascript in Ihrem Browser.

Research & Facilities

Forschung Molekularstrahlepitaxie von Gruppe III Nitriden:
  • optoelektronische Anwendung
  • elektronische Anwendung
Strukturierung:
  • Metallaufdampfanlage (Kontakte)
  • Spiegelherstellung
  • Photolithographie
  • e-beam Lithographie
Charakterisierungsmethoden:
  • Röntgendiffraktometrie (HRXRD)
  • Elektronenbeugung (in-situ RHEED)
  • AFM und STM
  • PL und CL
  • Hall-Effekt
  • IV und CV
  Forschungsprojekte:   laufende Projekte:
  • Ultrafast acoustics modulation of light emission (SFB/TRR 142, Projekt A06)
  • Nonlinear optics and coherent intersubband physics of cubic GaN/Al(Ga)N heterostructures (SFB/TRR 142, Projekt B02)
  • Einzel-Photonen Quellen – Integration kubischer GaN Quantenpunkten in verschiedene Mikroresonatoren (DFG-GK 1464, 2. Förderperiode, Projekt B1)
 
  • Experimentelle und numerisch berechnete Leitungs- und Valenzbandoffsets in kubischen Gruppe III-Nitriden und Intersubbandbauelementen (DFG-GK 1464, 2. Förderperiode, Projekt B2)
  abgeschlossene Projekte:
  • FETs aus nichtpolaren kubischen III-Nitrid Nanostrukturen (DFG)
  • Defect complexes in GaN - Prepartion, characterisation and ab initio modelling (DFG)
  • Single photon sources with group III - nitrides (DFG-GK, Project B1)
 
  •  
  •  
  •  
 

 

 

Gruppenleitung

Prof. Dr. Donat Josef As

Optoelektronische Halbleiter - Gruppe III-Nitride

Donat Josef As
Telefon:
+49 5251 60-5838
Fax:
+49 5251 60-5843
Büro:
P8.2.10
Web:

Die Universität der Informationsgesellschaft