Gruppe III-Nitride wie GaN, AlN und InN sind wegen ihrer mechanischen Festigkeit und ihrer chemischen und thermischen Beständigkeit hervorragend für elektronische Anwendungen (Transistoren) und optoelektronische Anwendungen (blau emittierende Leuchtdioden und Laser) geeignet, die bei extremen Umweltbedingungen, hohen Temperaturen und hohen Frequenzen arbeiten. Bei Bauelementen mit Strukurgrößen im Nanometerbereich werden neue Eigenschaften und Effekte sichtbar, die z.B. für Einzelphotonen- oder THz-Emitter bzw. Detektoren eingesetzt werden können. Hauptarbeitsgebiet der Arbeitsgruppe ist die Herstellung und Erforschung der Grundlagen kubischer Gruppe III-Nitride mit Hilfe der Molekularstrahlepitaxie, deren Charakterisierung mit optischen, elektrischen und strukturellen Messmethoden, sowie der Fertigung erster Bauelementstrukturen. Diese Arbeiten auf Basis kubischer III-Nitride führten zur Realisierung des ersten Feldeffekttransitors aus kubischen AlGaN/GaN,  sowie zu Quantum-Punktemittern und Intersubband Quantum-Well Photodetektors (QWIPs).