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Research & Facilities

   
   
   

Forschung

Molekularstrahlepitaxie von Gruppe III Nitriden:

  • optoelektronische Anwendung
  • elektronische Anwendung

Strukturierung:

  • Metallaufdampfanlage (Kontakte)
  • Spiegelherstellung
  • Photolithographie
  • e-beam Lithographie

Charakterisierungsmethoden:

  • Röntgendiffraktometrie (HRXRD)
  • Elektronenbeugung (in-situ RHEED)
  • AFM und STM
  • PL und CL
  • Hall-Effekt
  • IV und CV

 

Forschungsprojekte:

  laufende Projekte:

  • Ultrafast acoustics modulation of light emission (SFB/TRR 142, Projekt A06)

  • Nonlinear optics and coherent intersubband physics of cubic GaN/Al(Ga)N heterostructures (SFB/TRR 142, Projekt B02)

  • Selektives Wachstum von kubischen Gruppe III-Nitriden auf nanostrukturierten 3C-SiC (001) Substraten (DFG Einzelprojekt, As 107/7-1)

  abgeschlossene Projekte:

  • FETs aus nichtpolaren kubischen III-Nitrid Nanostrukturen (DFG)
  • Defect complexes in GaN - Prepartion, characterisation and ab initio modelling (DFG)
  • Single photon sources with group III - nitrides (DFG-GK, Project B1)
  • Einzel-Photonen Quellen – Integration kubischer GaN Quantenpunkten in verschiedene Mikroresonatoren (DFG-GK 1464, 2. Förderperiode, Projekt B1)

  • Experimentelle und numerisch berechnete Leitungs- und Valenzbandoffsets in kubischen Gruppe III-Nitriden und Intersubbandbauelementen (DFG-GK 1464, 2. Förderperiode, Projekt B2)
 
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Gruppenleitung

Prof. Dr. Donat Josef As

Optoelektronische Halbleiter - Gruppe III-Nitride

Donat Josef As
Telefon:
+49 5251 60-5838
Fax:
+49 5251 60-5843
Büro:
P8.2.10

Die Universität der Informationsgesellschaft