Forschung

Molekularstrahlepitaxie von Gruppe III Nitriden:

• optoelektronische Anwendung
• elektronische Anwendung

Strukturierung:

• Metallaufdampfanlage (Kontakte)
• Spiegelherstellung
• Photolithographie
• e-beam Lithographie

Charakterisierungsmethoden:

• Röntgendiffraktometrie (HRXRD)
• Elektronenbeugung (in-situ RHEED)
• AFM und STM
• PL und CL
• Hall-Effekt
• IV und CV

Forschungsprojekte:

 abgeschlossene Projekte:

• Ultrafast acoustics modulation of light emission (SFB/TRR 142, Projekt A06)

• Nonlinear optics and coherent intersubband physics of cubic GaN/Al(Ga)N heterostructures (SFB/TRR 142, Projekt B02)

• Selektives Wachstum von kubischen Gruppe III-Nitriden auf nanostrukturierten 3C-SiC (001) Substraten (DFG Einzelprojekt, As 107/7-1)

• FETs aus nichtpolaren kubischen III-Nitrid Nanostrukturen (DFG)

• Defect complexes in GaN - Prepartion, characterisation and ab initio modelling (DFG)

• Single photon sources with group III - nitrides (DFG-GK, Project B1)

• Einzel-Photonen Quellen – Integration kubischer GaN Quantenpunkten in verschiedene Mikroresonatoren (DFG-GK 1464, 2. Förderperiode, Projekt B1)

• Experimentelle und numerisch berechnete Leitungs- und Valenzbandoffsets in kubischen Gruppe III-Nitriden und Intersubbandbauelementen (DFG-GK 1464, 2. Förderperiode, Projekt B2)