Ger­äteausstat­tung: Optische und elektrische Charak­ter­is­ier­ung

Pho­to­lu­mineszenz-Spek­tro­met­er

- Anregung wahlweise mit Ar-Ne-Laser oder Weißlicht + Monochromator
- Detektion der reflektierten oder transmittierten Intensität
- Wellenlängenbereich 0,2-0,8µm

  

Zeiss Ab­sorp­tionsspek­tro­met­er

- Beleuchtung: Halogen- oder Deuteriumlampe + Monochromator
- Wellenlängenbereich: 0,2 - 1,0µm
- Detektion der transmittierten Intensität mittels Sekundärelektronenvervielfacher

 

Optisches Re­flekto­met­er

- Beleuchtung: Weißlichtquelle + durchstimmbarer Monochromator
- Vierkreis-Goniometer zur Positionierung der Probe
- Halbleiterdetektor
- Anwendung: Kolloidkristalle

 

Weiß­licht-Re­flekto­met­er

- Messung wahlweise in Transmission oder Reflektion
- Monochromator nach der Probe

 

Zeiss Licht­mik­roskop für mono­chro­mat­ische Ab­bildung

- wahlweise in Transmission oder Reflektion

 

Four­i­er-Trans­form­a­tions-In­frarot­spek­tro­met­er (FTIR): Bruker IFS 28

 

Leit­fähigkeitsmess­platz

- sowohl 2-Punkt- als auch 4-Punkt-Messung möglich
- Positionierung der Spitzen mittels Mikromanipulatoren (Typ: PH100)
- elektronische Steuerung und Aufzeichnung
- Messung auch unter Lichteinstrahlung möglich (integrierter Sonnensimulator)

Sonnensim­u­lat­or

- Xenon-Bogenlampe, 150 W, Ozon-frei
- Strahlungsintensität: 1 - 2 Sonnen
- Kollimierter Strahldurchmesser: 35 mm
- Filter: AM 1.5 global, 48°

 

Spread­ing-Res­ist­ance-Mess­platz

- Messung des Ausbreitungswiderstandes am Schrägschliff
- 2-Punkt-Methode
- Tiefenprofile der elektrischen Leitfähigkeit von Halbleiterschichtsystemen