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Oxford Instruments Plasmalab System 100:

RIE Plasma-Prozesssystem mit induktiv gekoppeltem Plasma ICP 180 zum reaktiven Ionenätzen
- Automatische Waferladevorrichtung; max. Wafergröße 100 mm
- Verfügbare Prozessgase: C₄F₈, SF₆, O₂, Ar, CHF₃, CF₄, He
- RF Leistung: max 300 W @ 13,56 MHz
- ICP Leistung: max 3000 W @ 13,56 MHz

Oxford Instruments Plasmalab 80plus (PECVD):

PECVD Plasma-Prozesssystem zur Deposition von isolierenden und halbleitenden Schichten
- Verfügbare Prozessgase: SiH₄/Ar (2%/98%), NH₃, N₂O, N₂, CF₄
- Heizbarer Probentisch: max. 400 °C
- Wafergröße max. 50 mm (homogenes Plasma)
- RF Leistung max: 400 W @ 13,56 MHz

Optische Messung von statischen und dynamischen Kontaktwinkeln auf Festkörperoberflächen (Methode des ruhenden Tropfen), Bestimmung von Festkörper-Oberflächenenergien und Oberflächenspannungen von Flüssigkeiten (Methode des hängenden Tropfen)
- Hubtisch (z-Achse)
- Softwaregesteuerte Doppel-Dosiereinheit
- Zoom-Objektiv, Kamera (Auflösung 656x492 px)