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Nanostrukturierung - Nanoanalytik - Photonische Materialien
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Ge­rä­te­ausstat­tung: Op­ti­sche und elek­tri­sche Cha­rak­te­ri­sie­rung
Ge­rä­te­ausstat­tung: Op­ti­sche und elek­tri­sche Cha­rak­te­ri­sie­rung
Pho­to­lu­mi­nes­zenz-Spek­tro­me­ter
Zeiss Ab­sorp­ti­onss­pek­tro­me­ter
Op­ti­sches Re­flek­to­me­ter
Weiß­licht-Re­flek­to­me­ter
Zeiss Licht­mi­kro­skop für mo­no­chro­ma­ti­sche Ab­bil­dung
Fou­ri­er-Trans­for­ma­ti­ons-In­fra­rot­spek­tro­me­ter (FTIR): Bru­ker IFS 28
Leit­fä­hig­keits­mess­platz
Son­nen­si­mu­la­tor
Sprea­ding-Re­si­stan­ce-Mess­platz
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Ge­rä­te­ausstat­tung: Op­ti­sche und elek­tri­sche Cha­rak­te­ri­sie­rung

Pho­to­lu­mi­nes­zenz-Spek­tro­me­ter

- Anregung wahlweise mit Ar-Ne-Laser oder Weißlicht + Monochromator
- Detektion der reflektierten oder transmittierten Intensität
- Wellenlängenbereich 0,2-0,8µm

Zeiss Ab­sorp­ti­onss­pek­tro­me­ter

- Beleuchtung: Halogen- oder Deuteriumlampe + Monochromator
- Wellenlängenbereich: 0,2 - 1,0µm
- Detektion der transmittierten Intensität mittels Sekundärelektronenvervielfacher

 

Op­ti­sches Re­flek­to­me­ter

- Beleuchtung: Weißlichtquelle + durchstimmbarer Monochromator
- Vierkreis-Goniometer zur Positionierung der Probe
- Halbleiterdetektor
- Anwendung: Kolloidkristalle

 

Weiß­licht-Re­flek­to­me­ter

- Messung wahlweise in Transmission oder Reflektion
- Monochromator nach der Probe

 

Zeiss Licht­mi­kro­skop für mo­no­chro­ma­ti­sche Ab­bil­dung

- wahlweise in Transmission oder Reflektion

 

Fou­ri­er-Trans­for­ma­ti­ons-In­fra­rot­spek­tro­me­ter (FTIR): Bru­ker IFS 28

 

Leit­fä­hig­keits­mess­platz

- sowohl 2-Punkt- als auch 4-Punkt-Messung möglich
- Positionierung der Spitzen mittels Mikromanipulatoren (Typ: PH100)
- elektronische Steuerung und Aufzeichnung
- Messung auch unter Lichteinstrahlung möglich (integrierter Sonnensimulator)

Son­nen­si­mu­la­tor

- Xenon-Bogenlampe, 150 W, Ozon-frei
- Strahlungsintensität: 1 - 2 Sonnen
- Kollimierter Strahldurchmesser: 35 mm
- Filter: AM 1.5 global, 48°

 

Sprea­ding-Re­si­stan­ce-Mess­platz

- Messung des Ausbreitungswiderstandes am Schrägschliff
- 2-Punkt-Methode
- Tiefenprofile der elektrischen Leitfähigkeit von Halbleiterschichtsystemen

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