Mit Hilfe der Nanokugellithographie (engl.: nanosphere lithography, NSL) lassen sich regelmäßig angeordnete Strukturen in der Größe von wenigen 10 bis 100 nm (1 nm = ein millionstel Millimeter) auf Oberflächen erzeugen. Dabei werden dicht gepackte Monolagen oder Doppellagen gleich großer Kugeln aus einer kolloidalen Suspension als Masken für das lokale Aufbringen, Entfernen oder chemische Modifizieren kleiner Materialmengen in den Kugelzwischenräumen verwendet. Für das Aufbringen von Material werden vor allem Elektronenstrahlverdampfungsprozesse und Sputterdepositionsverfahren angewandt. Die Vorteile dieses auf einer Selbstorganisation der Kugeln beruhenden Verfahrens liegen in der Anwendbarkeit auf verschiedene Materialsysteme, der Übertragbarkeit auf nicht planare und vorstrukturierte Oberflächen, der einfachen Skalierbarkeit auf große Flächen, dem großen Flächendurchsatz und den sehr geringen Kosten. Für den Materialabtrag werden reaktive Gasplasmen eingesetzt, die ein kontrolliertes Ätzen vieler Materialien ermöglichen. So können die mit Nanokugellithographie hergestellten 2D- in 3D-Strukturen umgewandelt werden. Des weiteren eignen sich nanokugellithographisch strukturierte Oberflächen als Templat für das Wachstum periodisch angeordneter Halbleiter-Nanodrähte, das wir mittels verschiedener Varianten der Gasphasenabscheidung realisieren. Der Lehrstuhl beschäftigt sich mit der Verbesserung des Verfahrens (Maskengröße, Maskenqualität, Metrologie von Maskendefekten, Modifikation von Maskengeometrien) und der Anwendung für die Erzeugung von metallischen Nanodots, plasmonischen Materialien und nanostrukturierten Halbleiteroberflächen (Si, SiO₂, SiN_x, SiC, GaN, GaAs, ...). 

Discovered in 2000, metal-assisted wet-chemical etching (MACE) has developed into a method for fabrication of nanostructured semiconductor surfaces (e.g. Si), in particular of ultrahigh-aspect-ratio nanostructures, by transferring a 2D nanopattern into the third dimension [1,2]. It relies on the catalyzing action of a noble metal (like Au, Pt and Ag) deposited on the semiconductor in contact with an oxidizing etch solution (e.g. H₂O₂) to generate holes. This leads (i) to local oxidation and dissolution of the semiconductor beneath the metal and (ii) to hydrogen reduction to H₂ gas. Consequently, the metal-covered areas sink down during the etching, thus transferring the mask pattern into the semiconductor. By employing masks prepared by nanosphere lithography, ordered nanopillar and nanohole arrays can be obtained, of interest e.g. for photonic crystals with tailored optical i.e. anti-reflective and light trapping properties [3].

Apart from vertical also conical geometries can be realized by means of increased H₂O₂ concentration or light irradiation, which raises the hole production rate above the rate of Si dissolution beneath the metal. Hence, holes are not completely consumed and migrate towards areas not covered by metal, where they induce lateral etching.

By intentionally changing the H₂O₂/HF ratio of the solution during etching, nanopillars with alternating diameter become feasible, including nanopillars with single and multiple constrictions, attractive for high-efficiency thermoelectric generators [3].

Furthermore, advanced 3D shaping capabilities of MACE, which result in spiral and hinged nanostructures, are enabled by the lateral motion and by folding of tailored catalyst film geometries, respectively [4,5].

[1] X. Li, P. W. Bohn: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 2572.
[2] F. Toor et al.: Nanotechnol. 27 (2016) 412003.
[3] M. Kismann, T. Riedl, J. K. N. Lindner: Mater. Sci. Semicond. Process. 128 (2021) 105746.
[4] O. J. Hildreth, A. G. Fedorov, C. P. Wong: ACS Nano 6 (2012) 10004.
[5] K. Rykaczewski et al.: Nano Lett. 11 (2011) 2369.

Dieser Text ist nur in englisch verfügbar.

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