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Foto (Matthias Groppe): Holographie-Apparatur von Herrn Dr. Andreas Redler

Foto: Foto (Matthias Groppe): Holographie-Apparatur von Herrn Dr. Andreas Redler

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Posterpreis der Deutschen Physikalischen Gesellschaft für Dr. Tobias Henksmeier

Dr. Tobias Henksmeier, PostDoc in der Arbeitsgruppe für Optoelektronische Materialien und Bauelemente von Prof. Dr. Dirk Reuter, hat eine der drei Auszeichnungen für das beste Poster der Sektion für kondensierte Materie erhalten. Die mit jeweils 200€ dotierten Posterpreise werden jedes Jahr bei der Jahrestagung der Sektion kondensierter Materie der Deutschen Physikalischen Gesellschaft verliehen, in diesem Jahr wurden insgesamt über 1100 Poster präsentiert. Die Tagung fand vom 04.09 bis zum 09.09.22 in Regensburg statt, das prämierte Poster trug den Titel „Remote Heteroepitaxy of InXGa1-XAs on Graphene Covered GaAs(001) Substrates“.

Auf dem Poster stellt Henksmeier eine Herstellungsmethode von InxGa1-xAs Kristallstrukturen auf GaAs Substraten mithilfe von Heteroepitaxie auf Graphen vor, die er in Kooperation mit Kolleginnen und Kollegen aus Magdeburg und Warwick entwickelt hat (siehe Abbildung). Derartige Methoden finden bei der Herstellung modernster Halbleiterbauteile Anwendung, die aus speziellen Kristallen gefertigt werden. „Wir haben untersucht, was passiert, wenn man die heteroepitaktisch aufgewachsene Schicht durch das Aufbringer einer Lage Graphen minimal vom Substrat separiert, um so die Verspannung der Schicht zu reduzieren damit schlussendlich die Leistungsfähigkeit der Struktur verbessert werden kann" so Henksmeier.

In der vorgestellten Methode wird auf das Substrat eine Schicht Graphen aufgebracht und anschließend überwachsen. Dabei wird eine homogenere und vorallem stärkere Relaxation der Schicht beobachtet. Die Methode basiert auf Erkenntnissen aus Henksmeiers Dissertation, die er im Sonderforschungsbereich Transregio 142 angefertigt hat. 

Originalpublikation

T. Henksmeier, J.F. Schulz, E. Kluth, M. Feneberg, R. Goldhahn, A.M. Sanchez, M. Voigt, G. Grundmeier, D. Reuter. Remote epitaxy of InxGa1-xAs (001) on graphene covered GaAs(001) substrates.Journal of Crystal Growth 593, 126756 (2022)

doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.126756.

Kontakt

Tobias Henksmeier

Dr. Tobias Henksmeier

Optoelektronische Materialien und Bauelemente

Zur Person

Die Universität der Informationsgesellschaft